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电子束蒸发与磁控溅射镀膜的分析

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜仪，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

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附着力

附着力反映了Al膜与基片之间的相互作用力，也是保证器件经久耐用的重要因素。溅射原子能量比蒸发原子能量高1—2个数量级。高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转换比蒸发原子高得多，产生较高的热能，部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原了相互溶合的伪扩散层，而且，在成膜过程中基片始终在等离子区中被清洗清除了附着力不强的溅射原子，增强了溅射原子与基片的附着力，因而溅射Al膜与基片的附着力较高。

测定附着力所采用的方法是测量Al膜从基片上剥离时所需要的力或者能量，我们采用剥离水法来测定附着力。

设薄膜单位面积的附着能为γ，则宽度为b，长度为a的薄膜的总附着能E=abγ(1)

用于剥离该薄膜的力F所作的功

Wp=Fa(1-sin(θ))(2)

如果是静态剥离并忽略薄膜弯曲时所产生的弹性能，则F所作的功近似等于薄膜的总附着能，即Wp=E，于是F=bγ/(1-sin(θ))(3)

(3)式中F随着θ角的变化而变化，电子束蒸发镀膜仪报价，不能真正反映薄膜的附着性能。当所加剥离力与薄膜垂直，即θ=0°时，则式简化为

F=bγ(4)

根据测量所得的F便可计算出附着能γ=F/b。如果要直接计算单位长度的附着力f，根据定义并采用上述方法(θ=0°)进行剥离可得f=γ。可见，附着力的大小和附着能γ的数据相同，由于Al膜的附着能γ较高，所以其附着力较大。实验测得的数据是：溅射Al膜的平均附着力25N，电子束蒸发Al膜的平均附着力为9.8N。这些数据和理论分析结论一致。

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在真空镀膜中`AR表示什么`

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，电子束蒸发镀膜仪品牌，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，电子束蒸发镀膜仪厂，硬质涂层设备等。

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真空镀膜：

一种产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术用于生产激光唱片（光盘）上的铝镀膜和由掩膜在印刷电路板上镀金属膜。

在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法较早由M.法拉*于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。

蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽**真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

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