电子束蒸发镀膜的特点
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
电子束蒸发镀制TiO2薄膜,采用下图所示的离子束辅助电子束蒸发的INTEGRITY-39全自动光学镀膜系统。
1.冷却水进口;2.冷却水出口;3.坩埚;4.束流线圈;5.电子束发射;6.加热灯;7.基片架;8.电机;9.监控片;10.离子源
镀制样品电子枪工作电压为10 kV,电流为200 A,真空室沉积温度为145~155℃。膜料选用纯度为99.99%的黑色颗粒状Ti2O3,采用CC-105冷阴极离子束进行辅助沉积,沉积时真空室充入纯度为99.99%的O2作为反应气体,同时使用1179A型MKS质量流量计控制反应气体O2的流量,基底为直径25 mm的圆形K9玻璃。
镀制时用机械泵和扩散泵将真空度抽至6.5×10-4Pa时,设定自动镀制程序。当基底被加热到沉积温度150℃时,离子源开始轰击基底,能量控制在60~90 eV,时间10 min。然后自动启动电子枪加热蒸发膜料,沉积薄膜,沉积速率0.38~0.42 nm/s,薄膜沉积到设计厚度440 nm时,程序自动关闭电子枪,完成镀制。
镀膜后真空室自然冷却到室温取出样品,电子束蒸发镀膜系统多少钱一台,用Lambda900(测试范围为175~3 300 nm)分光光度计进行样品TiO2的光谱测试,采用Macleod软件包络法计算TiO2薄膜的实际厚度,消光系数和折射率。
对真空室通入不同流量的高纯氧气,研究不同的真空度对TiO2的成膜质量、折射率、吸收系数的影响。
在较高的真空度下用离子源辅助蒸发沉积TiO2薄膜时,真空度随通氧量的变化如下表所列。
随着充入真空室内的氧分子被电离成氧离子充分与Ti2O3蒸气分子反应,使得Ti2O3分解所失的氧得到补充,从而生成的薄膜中TiO2成分比较纯净,但是如果通氧量不足或Ti2O3与O2反应不充分,则会形成高吸收的亚氧化钛薄膜TinO2n-1(n=1,2,……,电子束蒸发镀膜系统,10)。随着通氧量的增加,TiO2蒸气分子在蒸发上升过程中与氧分子的碰撞几率增大而损失了能量,使沉积在基底表面的TiO2动能减小,影响沉积薄膜的附着力和致密性。
对于光学薄膜而言,采用离子源辅助能够增加基底表面膜层分子的动能,不仅对薄膜的折射率有明显的影响,而且能使薄膜致密性及耐潮湿性得以提高,同时薄膜在基底上的附着力也有明显好转
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电子束蒸发镀膜机原理
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
原理:在高真空下,电子枪灯丝加热后发射热电子,被加速阳极加速,获得很大的动能轰击到的蒸发材料上,把动能转化成热使蒸发材料加热气化,而实现蒸发镀膜。电子束蒸发源由发射电子的热阴极、电子加速较和作为阳极的镀膜材料组成。电子束蒸发源的能量可高度集中,使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率,可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率,特别是有利于高熔点以及高**属和化合物材料。
技术指标:
可在高真空下蒸发不同厚度的各种金属与氧化物薄膜,广泛应用于物理,电子束蒸发镀膜系统哪家好,生物,化学,材料,电子等领域。
蒸镀薄膜种类:Au, Ti, Cr, Ag,电子束蒸发镀膜系统供应商, Al, Cu, FeNi, AuGe, Pt, Pb, In, Mo, SiO2等
极限真空:5E-8 Torr( 30分钟从 atm 抽到 5E-6 Torr )
薄膜均匀性:±4% ( 4英寸 )
装片:小于6英寸的任意规格的样品若干
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电子束蒸发设备及优化工艺参数
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
电子束蒸发设备及优化工艺参数
选用CHA-600型电子束蒸发台。它主要由真空镀膜室、真空系统和真空测量仪器的一部分构成。真空镀膜室主要由钟罩、球面行星转动基片架、基片烘烤装置、磁偏转电子枪、蒸发档板及加热装置等构件所组成;真空系统主要由机械泵的冷凝泵组成,选用冷凝泵可以更容易地抽到高真空状态,避免了油扩散泵返油而产生污染真空室的现象;用离子规来测量真空度。坩埚选用石墨坩埚,避免了坩埚与Al反应生成化合物而污染Al膜,坩埚的位置处在行星架的球心位置,从而保证成膜厚度的均匀性。蒸镀过程中膜厚的测量选用石英晶体膜厚监控仪。电子束蒸发镀Al的典型工艺参数为:真空度:2.6×10-4Pa;蒸发速率:20—25A/s;基片温度:120°C;蒸距:1125px;蒸发时间:25min;电子枪电压:9Kv;电子枪电流:0.2A。
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