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磁控溅射种类

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，磁控镀膜机哪里有，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

磁控镀膜机

磁控溅射种类

用磁控靶源溅射金属和合金很容易，磁控镀膜机厂家，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件/真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入Ar和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。磁控反应溅射绝缘体看似容易，而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面，以及靶源表面。从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。冷却是一切源（磁控，多弧，离子）所必需，因为能量很大一部分转为热量，若无冷却或冷却不足，这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。 

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磁控溅射镀膜机

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

磁控镀膜机

目前国内窗膜行业的批发商及终端店很多人都吃过磁控镀银膜氧化的亏，磁控镀膜机品牌，产品卖出后几个月，开始大面积氧化，需要赔偿，甚至还失去了客户。特别是NSN系列在13、14年出的问题特别多，搞得很多人谈磁控膜色变的地步。而在15、16年后，问题得到解决。慢慢地就没多少氧化问题出现了。这也让很多刚接触磁控膜的人以为磁控膜都是镀银的膜，一说磁控膜就问会不会氧化。其实大可不必担心，大部分的侧档都不是银的，请放心使用。且这两年的技术进步，国内各磁控工厂也找到了解决氧化的方法。其实在玻璃镀膜行业，早就解决了氧化问题，我记得早期的low-e玻璃在镀膜后必须在24小时内合成中空，不然就会氧化。当时low-e与中空都是镀膜厂做的，下边玻璃加工厂根本无法介入，而现在镀膜厂只需生产玻璃镀膜原片。且玻璃原片爆露在空气中可达6个月以上，都不会氧化。这样中空玻璃，一些门窗厂，幕墙公司、小规模的玻璃深加工工厂，都可以生产low-e中空玻璃了，加上**政策的支持与引导，大大的加快了low-e玻璃的发展与普及。做窗膜磁控溅射镀膜的应多去看看玻璃行业的low-e镀膜，多些交流。毕竟生产原理是一样的东西，技术是相通的。很多东西是可以套用的，low-e镀膜得到了规模化的发展，技术工艺已非常成熟了。窗膜磁控溅射镀膜较终是要与玻璃配套的，如何与玻璃上直接镀膜做差异化发展，才是正道。就目前来说，仅从隔热性能、保温性能上与玻璃对抗，是不可能有成本上优势的。但都是镀膜，如何做差异化，我目前也只是抛砖引玉，只有大家一起开动脑袋了。

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磁控溅射镀膜设备

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的**企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

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溅射镀膜技术

溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，磁控镀膜机，容易使基片发热甚至发生二次溅射，影响制膜质量。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。

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